- Производитель：
-
- onsemi (3)
- Part Status：
-
- Package / Case：
-
- Supplier Device Package：
-
- FET Feature：
-
- Drain to Source Voltage (Vdss)：
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Vgs(th) (Max) @ Id：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
9 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
onsemi | MOSFET N/P-CH 60V 3... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N/P-CH 20V/1... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET N/P-CH 60V 3... |
108 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 2... |
1 | 36,384 | Получить предложение | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V/1... |
1 | 1,899 | Получить предложение | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/2... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET N/P-CH 60V 3... |
1 | 5,800 | Получить предложение |
