- Package / Case：
-
- Supplier Device Package：
-
- FET Type：
-
- FET Feature：
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
16 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Снабжать |
Интернет Сервис
|
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Vishay | MOSFET N/P-CH 30V 5... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET N/P-CH 60V 3... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Vishay | MOSFET N/P-CH 30V 5... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2N-CH 30V 11.... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | MOSFET PWR N-CH D... |
15 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | MOSFET PWR N-CHAN... |
1,374 | 139,803 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2N-CH 50V 2A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2N-CH 40V 3.4... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | MOSFET 2N-CH 30V 4.1... |
1,002 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | MOSFET PWR P-CH 25... |
507 | 4,104 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2N-CH 60V 2.6... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
onsemi | MOSFET 2N-CH 50V 3A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 2A... |
1 | 5,800 | Получить предложение | |
|
|
Rochester Electronics | SMALL SIGNAL N-CH... |
332 | 2,540 | Получить предложение |
